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SIHF22N65E-GE3|Vishay Semiconductors
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SIHF22N65E-GE3
制造商型号： SIHF22N65E-GE3
制造商： Vishay Semiconductors
描述： MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
漏极连续电流:22 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:180 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220
封装:Bulk
下降时间:38 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :6.7 S
栅极电荷 Qg:110 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:227 W
上升时间:33 ns
系列:E
典型关闭延迟时间:73 ns

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