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SIHD6N65E-GE3|Vishay Semiconductors
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SIHD6N65E-GE3
制造商型号： SIHD6N65E-GE3
制造商： Vishay Semiconductors
描述： MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
漏极连续电流:7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:600 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
封装:Bulk
下降时间:20 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :2 S
栅极电荷 Qg:48 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:78 W
上升时间:12 ns
系列:E
典型关闭延迟时间:30 ns

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