数据列表 | SIF912EDZ |
---|---|
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.4A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 19 毫欧 @ 7.4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 2x5 |
供应商器件封装 | PowerPAK?(2x5) |
其它名称 | SIF912EDZ-T1-E3TR |