SIE726DF-T1-E3,SIE726DF-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分销-SIE726DFT1E3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SIE726DF |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SkyFET®, TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 28A （Ta）， 60A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK?（L） |
