数据列表 | SIB417DK |
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产品相片 | Pkg 5935 |
特色产品 | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 52 毫欧 @ 5.6A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12.75nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 675pF @ 4V |
功率 - 最大值 | 13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SC-75-6L |
供应商器件封装 | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
其它名称 | SIB417DK-T1-GE3TR SIB417DKT1GE3 |