SIA817EDJ-T1-GE3,SIA817EDJ-T1-GE3|Vishay Semiconductors代理分销-SIA817EDJT1GE3原装现货,PDF下载
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SIA817EDJ-T1-GE3|Vishay Semiconductors
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SIA817EDJ-T1-GE3
制造商型号： SIA817EDJ-T1-GE3
制造商： Vishay Semiconductors
描述： MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 30 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:- 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:125 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-6
封装:Reel
下降时间:10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :9 S
栅极电荷 Qg:6.6 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:6.5 W
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:23 ns

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