| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | | 30 1起订 | 1-3周 | 询价 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA426DJ-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | N-Channel 20 V 23.6 mO 27 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单 型号：SIA426DJ-T1-GE3 仓库库存编号：SIA426DJ-T1-GE3CT-ND 别名：SIA426DJ-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SIA426DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SIA426DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SIA426DJ-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SIA426DJ |
|---|---|
| 产品相片 | Pkg 5934 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 23.6 毫欧 @ 9.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1020pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 19W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SIA426DJ-T1-GE3TR SIA426DJT1GE3 |
