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SI9934BDY|VISHAY SILICONIX
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SI9934BDY
制造商型号： SI9934BDY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场???应管 MOSFET 双 PP SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 4.8A
  • 漏源电压, Vds: 12V
  • 在电阻RDS（上）: 35mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -1.4V
  • 功耗, Pd: 1.1W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 2
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 13nC
  • 漏极电流, Id 最大值: -4.8A
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -12V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: -12V
  • 电压, Vgs 最高: -8V
  • 电流, Idm 脉冲: 20A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -6.4A
  • 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 56mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 35mohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.028ohm
产地： TW Taiwan

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