SI9435BDY-T1-E,SI9435BDY-T1-E|Vishay-SI9435BDYT1E原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R - Cut Tape Product (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

RoHS: Not Compliant

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

RoHS: Not Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

RoHS: Not Compliant

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, FULL REEL

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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SI9435BDY-T1-E3.
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

pbFree: Pb-Free

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

pbFree: Pb-Free

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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Vishay Siliconix

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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SI9435BDY-T1-E3
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MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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Vishay Intertechnologies

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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SI9435BDY-T1-E Vishay MOSFET,P沟道,30V,4.1A,SOIC8 查看库存、价格及货期
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI9435BDY-T1-E3 - MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO

型号:SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号:SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9435BDY-T1-E3CT <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI9435BDY-T1-E3
VISHAY SI9435BDY-T1-E3
9453458

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W

(EN)
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SI9435BDY-T1-E3
VISHAY SI9435BDY-T1-E3
1878516

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC

(EN)
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Siliconix / Vishay - SI9435BDY-T1-E3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET|70026299 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET


型号:SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号:70026299

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图SI9435BDY-T1-E
Vishay
MOSFET,P沟道,30V,4.1A,SOIC8
Rohs

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SI9435BDY-T1-E3|VISHAYSI9435BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Rohs

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无图SI9435BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI9435BDY-T1-E3|VISHAY SILICONIXSI9435BDY-T1-E3
VISHAY SILICONIX
场效应管 MOSFET P沟道 8-SOIC
Rohs

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无图SI9435BDY-T1-E
Vishay
MOSFET,P沟道,30V,4.1A,SOIC8
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SI9435BDY-T1-E3|Vishay SiliconixSI9435BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Rohs

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI9435BDY-T1-E
制造商型号: SI9435BDY-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,30V,4.1A,SOIC8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间42 ns
典型接通延迟时间14 ns
典型栅极电荷@Vgs16 nC V @ 10
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC N
尺寸5 x 4 x 1.55mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1300 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.042 Ω
最大连续漏极电流4.1 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度1.55mm

手机网站相关详细信息:SI9435BDY-T1-E
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: SI9435BDY-T1-E
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