SI8821EDB-T2-E1,SI8821EDB-T2-E1|VISHAY SILICONIX代理分销-SI8821EDBT2E1原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SI8821EDB |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Ta）， 2.3A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 128 毫欧 @ 1A， 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 440pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8821EDB-T2-E1TR |
