数据列表 | Si8497DB |
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产品相片 | 6-UFBGA |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.9A (Ta), 13A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 53 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 49nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1320pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UFBGA |
供应商器件封装 | 6-microfoot |
其它名称 | SI8497DB-T2-E1TR SI8497DBT2E1 |