| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI8451DB-T2-E1 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10.8A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot? 型号：SI8451DB-T2-E1 仓库库存编号：SI8451DB-T2-E1CT-ND 别名：SI8451DB-T2-E1CT <br>SI8451DBT2E1 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SI8451DB |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10.8A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 8V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 750pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 13W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot? |
| 其它名称 | SI8451DB-T2-E1TR |
