| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7942DP-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI7942DP-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual 型号：SI7942DP-T1-GE3 仓库库存编号：SI7942DP-T1-GE3CT-ND 别名：SI7942DP-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | Si7942DP |
|---|---|
| 产品相片 | SO-8 Dual Pad |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.8A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 49 毫欧 @ 5.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI7942DP-T1-GE3TR SI7942DPT1GE3 |
