数据列表 | SI7938DP |
---|---|
产品相片 | PowerPAK? SO-8 Dual SI7938DP-T1-GE3 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 60A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.8 毫欧 @ 18.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2300pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 46W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 Dual |
其它名称 | SI7938DP-T1-GE3TR SI7938DPT1GE3 |