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SI7792DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI7792DP-T1-GE3
制造商型号： SI7792DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.7 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:12 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :83 S
栅极电荷 Qg:90 nC
功率耗散:104 W
上升时间:13 ns
典型关闭延迟时间:40 ns
零件号别名:SI7792DP-GE3

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