数据列表 | Si7434DP |
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产品相片 | PowerPAK SO-8 Pkg |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 155 毫欧 @ 3.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.9W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
产品目录页面 | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7434DP-T1-GE3TR SI7434DPT1GE3 |