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SI7404DN-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 30V 13.3A 3.8W 查看库存、价格及货期
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无图SI7404DN-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 30V 13.3A 3.8W
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SI7404DN-T1-E3|VISHAYSI7404DN-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 30 V 0.013 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8
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SI7404DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI7404DN-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8
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Vishay Siliconix
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VISHAY
单 N 沟道 30 V 0.013 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8
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MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8
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Vishay Siliconix - SI7404DN-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8

型号:SI7404DN-T1-E3
仓库库存编号:SI7404DN-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix - SI7404DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8

型号:SI7404DN-T1-GE3
仓库库存编号:SI7404DN-T1-GE3-ND
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Siliconix / Vishay - SI7404DN-T1-E3 - P-CH 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET|70026270 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET; P-CH 30-V (D-S) Fast Switching


型号:SI7404DN-T1-E3
仓库库存编号:70026270

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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7404DN-T1
制造商型号: SI7404DN-T1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30V 13.3A 3.8W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:8.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):13 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:39 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.5 W
上升时间:39 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:64 ns

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