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| SI7366DP-T1-E3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8 型号：SI7366DP-T1-E3 仓库库存编号：SI7366DP-T1-E3CT-ND 别名：SI7366DP-T1-E3CT SI7366DPT1E3 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | SI7366DP |
|---|---|
| 产品相片 | PowerPAK SO-8 Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 13A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 其它名称 | SI7366DP-T1-E3TR |
