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SI7107DN-T1-GE3 VISHAY 单 P 沟道 20 V 0.0108 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - POWERPAK-1212-8 查看库存、价格及货期
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VISHAY		单 P 沟道 20 V 0.0108 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - POWERPAK-1212-8
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Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
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无图SI7107DN-T1-GE3
VISHAY		单 P 沟道 20 V 0.0108 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - POWERPAK-1212-8
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Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
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Vishay Siliconix - SI7107DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8

型号：SI7107DN-T1-GE3
仓库库存编号：SI7107DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7107DN-T1-GE3CT <br>

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SI7107DN-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI7107DN-T1-GE3
制造商型号： SI7107DN-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 单 P 沟道 20 V 0.0108 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - POWERPAK-1212-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.0108 Ω
  • Qg Gate Charge: 44 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.5 W

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