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SI5975DC-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 12V 4.1A 2.1W 查看库存、价格及货期
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无图SI5975DC-T1
VISHAY SILICONIX		MOSFET 12V 4.1A 2.1W
Rohs

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VISHAY SILICONIX		MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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VISHAY SILICONIX		MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Vishay Siliconix - SI5975DC-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET		Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?

型号：SI5975DC-T1-E3
仓库库存编号：SI5975DC-T1-E3-ND

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Vishay Siliconix - SI5975DC-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET		Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?

型号：SI5975DC-T1-GE3
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Vishay Siliconix		MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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VISHAY SILICONIX		MOSFET 12V 4.1A 2.1W
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SI5975DC-T1
制造商型号： SI5975DC-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 12V 4.1A 2.1W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:86 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
封装:Reel
下降时间:20 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
上升时间:20 ns
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:31 ns

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