SI5515DC-T1-E3,SI5515DC-T1-E3|VISHAY代理分销-SI5515DCT1E3原装现货,PDF下载
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SI5515DC-T1-E3 VISHAY N 和 P 沟道 20 V 0.04/0.086 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - 1206-8 ChipFET 查看库存、价格及货期
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SI5515DC-T1-E3|Vishay SiliconixSI5515DC-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
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无图SI5515DC-T1-E3
VISHAY		N 和 P 沟道 20 V 0.04/0.086 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - 1206-8 ChipFET
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Vishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8		Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?

型号：SI5515DC-T1-E3
仓库库存编号：SI5515DC-T1-E3CT-ND
别名：SI5515DC-T1-E3CT
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Siliconix / Vishay - SI5515DC-T1-E3 - COMPLEMENTARY 20-V (D-S) MOSFET|70026248 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
COMPLEMENTARY 20-V (D-S) MOSFET

型号：SI5515DC-T1-E3
仓库库存编号：70026248

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SI5515DC-T1-E3|VISHAY
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SI5515DC-T1-E3
制造商型号： SI5515DC-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： N 和 P 沟道 20 V 0.04/0.086 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - 1206-8 ChipFET
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: N & P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.04 Ω
  • Qg Gate Charge: 7.5 / 8.5 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.1 W

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