SI5485DU-T1-GE3,SI5485DU-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI5485DUT1GE3原装现货,PDF下载
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SI5485DU-T1-GE3
制造商型号: SI5485DU-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 SI5485DU
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1100pF @ 10V
功率 - 最大值31W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 单
供应商器件封装PowerPAK? ChipFET 单通道

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