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SI5479DU-T1-E3
- 场效应管 MOSFET P PowerPAK - SI5479DUT1E3
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SI5479DU-T1-E3
制造商型号:
SI5479DU-T1-E3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
场效应管 MOSFET P PowerPAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P PowerPAK
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 16A
漏源电压, Vds: 12V
在电阻RDS(上): 39mohm
电压 @ Rds测量: -1.8V
阈值电压, Vgs th 典型值: -1V
功耗, Pd: 17.8mW
器件标号: 5479
封装/箱盒: PowerPAK
晶体管类型: 沟
栅极电荷 Qg P沟道: 21nC
电压 Vgs @ Rds on 测量: 1.8V
电压, Vds 典型值: -12V
电流, Idm 脉冲: 20A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最低: -0.4V
产地: CN China
手机网站相关详细信息:
SI5479DU-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SI5479DU-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SI5479DU-T1-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: 场效应管 MOSFET P PowerPAK
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Q Q:
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