型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5433BDC-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 6.7A 2.5W 37mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5433BDC-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 6.7A 2.5W 37mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI5433BDC-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.8A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET? 型号:SI5433BDC-T1-GE3 仓库库存编号:SI5433BDC-T1-GE3CT-ND 别名:SI5433BDC-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI5433BDC-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 | 查价格库存 查看详细 |
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SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | SI5433BDC |
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产品相片 | Pkg 5547 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.8A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 37 毫欧 @ 4.8A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET? |
其它名称 | SI5433BDC-T1-GE3TR SI5433BDCT1GE3 |