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SI5429DU-T1-GE3
VISHAY SI5429DU-T1-GE3
2283663

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V

(EN)
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Vishay Siliconix - SI5429DU-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFet 双

型号:SI5429DU-T1-GE3
仓库库存编号:SI5429DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5429DU-T1-GE3CT
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Siliconix / Vishay - SI5429DU-T1-GE3 - MOSFET P-Ch 30V 11.8A PowerPAK ChipFET8|70663765 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET P-Ch 30V 11.8A PowerPAK ChipFET8


型号:SI5429DU-T1-GE3
仓库库存编号:70663765

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VISHAY SILICONIX
MOSF P CH 30V 12A PWR PK
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Vishay - SI5429DU-T1-GE3 - Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装

制造商零件编号:
SI5429DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9232
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI5429DU-T1-GE3
制造商型号: SI5429DU-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSF P CH 30V 12A PWR PK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 Si5429DU
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11.8A (Ta), 12A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2320pF @ 15V
功率 - 最大值31W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商器件封装PowerPAK? ChipFet 双
其它名称SI5429DU-T1-GE3TR
SI5429DUT1GE3

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