型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI5429DU-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSF P CH 30V 12A PWR PK | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI5429DU-T1-GE3 | 2283663 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V (EN) | 搜索 |
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK 详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFet 双 型号:SI5429DU-T1-GE3 仓库库存编号:SI5429DU-T1-GE3CT-ND 别名:SI5429DU-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
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Siliconix / Vishay MOSFET P-Ch 30V 11.8A PowerPAK ChipFET8 型号:SI5429DU-T1-GE3 仓库库存编号:70663765 | 搜索 |
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制造商零件编号: SI5429DU-T1-GE3 品牌: Vishay 库存编号: 787-9232 | 查看其他仓库 |
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SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSF P CH 30V 12A PWR PK | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | Si5429DU |
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标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11.8A (Ta), 12A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 15 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 63nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2320pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 31W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK? ChipFet 双 |
其它名称 | SI5429DU-T1-GE3TR SI5429DUT1GE3 |