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SI5402DC-T3|VISHAY SILICONIX
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SI5402DC-T3
制造商型号： SI5402DC-T3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:6.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:35 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
封装:Reel
下降时间:10 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2.5 W
上升时间:10 ns
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:25 ns

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