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SI4982DY-T1-GE3
制造商型号： SI4982DY-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V
技术参考：

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产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

100 V

闸/源击穿电压:

+/- 20 V

漏极连续电流:

2.6 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

150 mOhms

配置:

Dual

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8 Narrow

封装:

Reel

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

2 W

工厂包装数量:

2500

典型关闭延迟时间:

30 ns

零件号别名:

SI4982DY-GE3

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