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SI4982DY-T1-E3
- 双 N 沟道 100 V 0.15 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 - SI4982DYT1E3
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SI4982DY-T1-E3
制造商型号:
SI4982DY-T1-E3
制造商:
VISHAY
描述:
双 N 沟道 100 V 0.15 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
100 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.15 Ω
Qg Gate Charge:
30 nC
Rated Power Dissipation:
2 W
手机网站相关详细信息:
SI4982DY-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SI4982DY-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SI4982DY-T1-E3 品牌: VISHAY 备注: 双 N 沟道 100 V 0.15 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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