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SI4866DY-T1|VISHAY SILICONIX
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SI4866DY-T1
制造商型号： SI4866DY-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 12V 17A 1.6W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:17 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:5.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
下降时间:35 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :80 S
栅极电荷 Qg:21 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.6 W
上升时间:32 ns
工厂包装数量:2500
典型关闭延迟时间:82 ns

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