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| SI4660DY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 25V 23.1A 5.6W 5.8mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI4660DY-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 23.1A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO 型号：SI4660DY-T1-GE3 仓库库存编号：SI4660DY-T1-GE3CT-ND 别名：SI4660DY-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | SI4660DY |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17.2A （Ta）， 23.1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2410pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 5.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 产品目录页面 | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI4660DY-T1-GE3TR SI4660DYT1GE3 |
