型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4634DY-T1-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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SI4634DY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24.5A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO 型号:SI4634DY-T1-GE3 仓库库存编号:SI4634DY-T1-GE3TR-ND 别名:SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI4634DY-T1-GE3 | 2478953 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 24.5A, SOIC, 整卷 (EN) | 查看其他仓库 |
数据列表 | SI4634DY |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 24.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.2 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3150pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 5.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 |