SI4559EY-T1-E,SI4559EY-T1-E|Vishay代理分销-SI4559EYT1E原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 12（P 沟道）ns，36（N 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13（N 沟道）ns，8（P 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V（P 沟道），19 nC @ 10 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC N | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.055（N 沟道）Ω，0.12（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1（P 沟道）A，4.5（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.55mm |
