SI4459ADY-T1-GE3,SI4459ADY-T1-GE3|VISHAY代理分销-SI4459ADYT1GE3原装现货,PDF下载
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SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY 单 P沟道 30 V 0.005 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8 查看库存、价格及货期
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Vishay Siliconix - SI4459ADY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 29A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO

型号：SI4459ADY-T1-GE3
仓库库存编号：SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4459ADY-T1-GE3CT
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Siliconix / Vishay - SI4459ADY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC|70459538 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

型号：SI4459ADY-T1-GE3
仓库库存编号：70459538

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SI4459ADY-T1-GE3|VISHAYSI4459ADY-T1-GE3
VISHAY		单 P沟道 30 V 0.005 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Rohs

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无图SI4459ADY-T1-GE3.
VISHAY SILICONIX		原厂原装货
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SI4459ADY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4459ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
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无图SI4459ADY-T1-GE3
VISHAY		单 P沟道 30 V 0.005 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
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SI4459ADY-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI4459ADY-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET P沟道 -30V 29A SOIC
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SI4459ADY-T1-GE3
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3		1858953

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V

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SI4459ADY-T1-GE3
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3		2368264

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 29A, SOIC, 整卷

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SI4459ADY-T1-GE3
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3		1858953RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V

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SI4459ADY-T1-GE3|VISHAY
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SI4459ADY-T1-GE3
制造商型号： SI4459ADY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 单 P沟道 30 V 0.005 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.005 Ω
  • Qg Gate Charge: 195 nC
  • Rated Power Dissipation: 7.8 W

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