SI4435BDY-T1-E3,SI4435BDY-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI4435BDYT1E3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SI4435BDY |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 9.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SI4435BDY-T1-E3TR |
