SI3585CDV-T1-GE3,SI3585CDV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI3585CDVT1GE3原装现货,PDF下载
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SI3585CDV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI3585CDV-T1-GE3
制造商型号： SI3585CDV-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:3.9 A, - 2.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
封装:Reel
下降时间:8 ns, 7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :12 S, 1 S
栅极电荷 Qg:3.2 nC
功率耗散:1.4 W
上升时间:20 ns, 10 ns
典型关闭延迟时间:11 ns, 13 ns
零件号别名:SI3585CDV-GE3

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