SI3477DV-T1-GE3,SI3477DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI3477DVT1GE3原装现货,PDF下载
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SI3477DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI3477DV-T1-GE3
制造商型号： SI3477DV-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 12 V
闸/源击穿电压:+/- 10 V
漏极连续电流:- 8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:17.5 mOhms
配置:Single Quad Drain
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
封装:Reel
下降时间:30 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :30 S
栅极电荷 Qg:28.3 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:4.2 W
上升时间:10 nS
典型关闭延迟时间:65 nS
零件号别名:SI3477DV-GE3

手机网站相关详细信息：SI3477DV-T1-GE3
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