SI3460BDV-T1-E3,SI3460BDV-T1-E3|VISHAY代理分销-SI3460BDVT1E3原装现货,PDF下载
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SI3460BDV-T1-E3|VISHAY
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SI3460BDV-T1-E3
制造商型号： SI3460BDV-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 单 N沟道 20 V 0.027 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.027 Ω
  • Qg Gate Charge: 13.5 nC
  • Rated Power Dissipation: 3.5 W

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