SI3457CDV-T1-E,SI3457CDV-T1-E|Vishay代理分销-SI3457CDVT1E原装现货,PDF下载
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SI3457CDV-T1-E
制造商型号: SI3457CDV-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,30V,4.1A,TSOP6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间40 ns
典型栅极电荷@Vgs10 nC V @ 10, 5.1 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds450 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度1.65mm
封装类型TSOP
尺寸3.05 x 1.65 x 1mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.074 Ω
最大连续漏极电流4.1 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单
长度3.05mm
高度1mm

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