SI3443DV-T1-E3,SI3443DV-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI3443DVT1E3原装现货,PDF下载
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SI3443DV-T1-E3
制造商型号： SI3443DV-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 4.4A 2W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:65 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SuperSOT-6
封装:Reel
下降时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.6 W
上升时间:32 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:57 ns
零件号别名:SI3443DV-E3

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