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SI2338DS-T1-GE3
制造商型号： SI2338DS-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳全新原装现货
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产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

30 V

闸/源击穿电压:

20 V

漏极连续电流:

6 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

23 mOhms

配置:

Single

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-23

封装:

Reel

下降时间:

7 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值） :

24 S

栅极电荷 Qg:

8.2 nC

功率耗散:

2.5 W

上升时间:

11 ns

典型关闭延迟时间:

20 ns

零件号别名:

SI2338DS-GE3

手机网站相关详细信息：SI2338DS-T1-GE3
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