SI2337DS-T1-GE3,SI2337DS-T1-GE3|VISHAY代理分销-SI2337DST1GE3原装现货,PDF下载
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SI2337DS-T1-GE3
- -60 V 1.2A 170 mOhm 漏源导通电阻 当10 V时 8.6 nC Qg SOT-23 - SI2337DST1GE3
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SI2337DS-T1-GE3
制造商型号:
SI2337DS-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
-60 V 1.2A 170 mOhm 漏源导通电阻 当10 V时 8.6 nC Qg SOT-23
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
80 V
Drain-Source On Resistance-Max:
270 mΩ
Qg Gate Charge:
17 nC
Rated Power Dissipation:
2.5 W
手机网站相关详细信息:
SI2337DS-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
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SI2337DS-T1-GE3
旗下站点
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*所需产品:
型号: SI2337DS-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: -60 V 1.2A 170 mOhm 漏源导通电阻 当10 V时 8.6 nC Qg SOT-23
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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