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SI2327DS-T1-E3|VISHAY
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SI2327DS-T1-E3
制造商型号： SI2327DS-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 单 P沟道 200 V 2.35 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 2.35 Ω
  • Qg Gate Charge: 12 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.75 W

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