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SI2319CDS-T1-GE3|VISHAY
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SI2319CDS-T1-GE3
制造商型号： SI2319CDS-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： P 沟道 40 V 0.077 Ohm 2.5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.077 Ω
  • Qg Gate Charge: 21 nC
  • Rated Power Dissipation: 2.5 W

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