SI2316BDS-T1-E3,SI2316BDS-T1-E3|VISHAY代理分销-SI2316BDST1E3原装现货,PDF下载
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SI2316BDS-T1-E3|VISHAY
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SI2316BDS-T1-E3
制造商型号： SI2316BDS-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 单 N沟道 30 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.05 Ω
  • Qg Gate Charge: 9.6 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.66 W

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