| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI2315BDS-T1-E | Vishay | MOSFET，P沟道，12V，3A，TO236 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Siliconix / Vishay MOSFET, Power; P-Channel; -12 V; 8 V; 3.5 A; 1.25 W; -55 to 150 degC 型号：SI2315BDS-T1-E3 仓库库存编号：70026068 |   | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） 型号：SI2315BDS-T1-E3 仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND 别名：SI2315BDS-T1-E3CT | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2315BDS-T1-E Vishay | MOSFET，P沟道，12V，3A，TO236 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | SI2315BDS-T1-E3 VISHAY | 单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI2315BDS-T1-E3 VISHAY | 单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236 | 查价格库存 查看详细 |
| SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| SI2315BDS-T1-E Vishay | MOSFET，P沟道，12V，3A，TO236 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 715 pF V @ 6 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | TO-236 | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.75 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.05 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm |
