SI2315BDS-T1-E,SI2315BDS-T1-E|Vishay代理分销-SI2315BDST1E原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 715 pF V @ 6 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | TO-236 | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.75 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.05 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm |
