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SI2309CDS-T1-GE3
- 场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.6A SOT23 - SI2309CDST1GE3
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SI2309CDS-T1-GE3
制造商型号:
SI2309CDS-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.6A SOT23
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.6A SOT23
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -1.6A
漏源电压, Vds: -60V
在电阻RDS(上): 285mohm
电压 @ Rds测量: -10V
功耗, Pd: 1.7W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: -1.6A
电压, Vgs 最高: 20V
手机网站相关详细信息:
SI2309CDS-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SI2309CDS-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: SI2309CDS-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: 场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.6A SOT23
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Q Q:
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