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SI2301DS-T1
制造商型号： SI2301DS-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 2.3A 1.25W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
制造商:Vishay
RoHS:否
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:2.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:130 mOhms at 4.5 V
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-236-3
封装:Reel
下降时间:36 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1250 mW
上升时间:36 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:42 ns

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