SI1965DH-T1-GE3,SI1965DH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI1965DHT1GE3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SI1965DH |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.3A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 390 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.2nC @ 8V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 120pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | SI1965DH-T1-GE3TR SI1965DHT1GE3 |
