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SI1922EDH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI1922EDH-T1-GE3
制造商型号： SI1922EDH-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 1.3A SOT363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 1.3A SOT363
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.3A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 0.165ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-363
  • 针脚数: 6
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 20V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 1.3A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.165ohm

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