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SI1907DL-T1-E3
- MOSFET 12V 0.56A - SI1907DLT1E3
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SI1907DL-T1-E3
制造商型号:
SI1907DL-T1-E3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
MOSFET 12V 0.56A
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
P-Channel
汲极/源极击穿电压:
12 V
闸/源击穿电压:
+/- 8 V
漏极连续电流:
0.53 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
650 mOhms
配置:
Dual
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-363-6
封装:
Reel
下降时间:
20 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
270 mW
上升时间:
20 ns
工厂包装数量:
3000
商标名:
TrenchFET
典型关闭延迟时间:
10 ns
零件号别名:
SI1907DL-E3
手机网站相关详细信息:
SI1907DL-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SI1907DL-T1-E3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SI1907DL-T1-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: MOSFET 12V 0.56A
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Q Q:
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